sentaurus tcad 2018是一款TCAD類的軟件，也就是仿真軟件，主要是為半導(dǎo)體工藝模擬以及器件模擬的工具，對(duì)于一些硬件開發(fā)人員來說，一款好的仿真軟件能夠讓其制作的硬件更加有用、好用且功能強(qiáng)大，在tcad的軟件中sentaurus可以說是比較全面且不錯(cuò)的仿真軟件，尤其是在3D仿真上面更是做了更強(qiáng)大的優(yōu)化，算法收斂性和速度以及并行計(jì)算能力有了很大的提高，舉個(gè)例子，3D氧化的浮動(dòng)便捷問題是一個(gè)行業(yè)難題，在sentaurus中有了針對(duì)性的改進(jìn)，讓我們的用戶在這一方面使用上更加得心應(yīng)手。
作為業(yè)內(nèi)首屈一指的工藝和器件仿真軟件，sentaurus tcad 2018涵蓋了眾多模型(聲光電等等，應(yīng)有盡有，還支持用戶使用API接口)、默認(rèn)的材料參數(shù)(雖然目前部分材料參數(shù)不是很全，但是在業(yè)內(nèi)是最多的了)，龐大又豐富的功能，如果利用得當(dāng)，sentaurus tcad 2018可以說是非常準(zhǔn)確且實(shí)用的，不過目前這款軟件只能夠在Linux系統(tǒng)上運(yùn)行，用戶可以下載本站的rhel 6.5 64位在虛擬機(jī)上使用我們的這款軟件，另外這款軟件只支持64為系統(tǒng)，請(qǐng)用戶們注意。

模塊介紹

Sentaurus Device模塊
隨著集成電路制程技術(shù)的長足發(fā)展, 集成化器件的特征尺寸已由超深亞微米逼近nm 級(jí)層次。器件特征尺寸的等比例縮小, 器件結(jié)構(gòu)已達(dá)到臨界尺度并接近于電子的相干距離。器件物理特性的分析也進(jìn)入量子力學(xué)的分析層次。諸多經(jīng)典的器件物理模型( 二維器件物理特性分析系統(tǒng)Medici-Synopsys Inc.) 已不能夠滿足nm 級(jí)器件的解析分析要求。對(duì)于nm 級(jí)器件, 諸多小尺寸效應(yīng)所呈現(xiàn)出的各向異性對(duì)器件核心參數(shù)的影響越發(fā)顯著。近幾年對(duì)進(jìn)一步完善小尺寸器件物理模型并提升器件物理特性模擬與分析工具的仿真技術(shù)需求也越發(fā)迫切。SenTaurus Device 面向最新的nm 級(jí)集成工藝制程和器件結(jié)構(gòu), 基于小尺寸器件物理效應(yīng), 可實(shí)現(xiàn)甚大規(guī)模( ULSI) 集成器件的器件物理特性級(jí)虛擬分析。顯然, SenTaurus Device 與工藝制程級(jí)仿真接口, 完成了器件物理特性的虛擬測試, 構(gòu)成了完整的集成電路芯片級(jí)的底層設(shè)計(jì)。SenTaurus Device整合了Avanti的Medici、TaurusDevice及ISE的DESSIS 器件物理特性級(jí)仿真工具, 充實(shí)并修正了諸多器件物理模型, 推出了新的器件物理特性分析工具SenTaurus Device。
Sentaurus Device模塊作為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)器件的仿真工具, 可以用來預(yù)測半導(dǎo)體器件的電學(xué)、溫度和光學(xué)特性, 通過一、 二、三維的方式對(duì)多種器件進(jìn)行建模, 包括SOI、 Strain Silicon、SiGe、BiCMO、 HBT、IGBT、MOSFET等, 從簡單的二極管、 三極管, 到復(fù)雜的CMOS器件、 光電器件、功率器件、射頻器件、存儲(chǔ)器件等都有準(zhǔn)確的模型。不僅可以準(zhǔn)確快捷地進(jìn)行傳統(tǒng)半導(dǎo)體工藝流程模擬和器件仿真，對(duì)于各種新興及特殊器件，例如深亞微米器件、絕緣硅(SOI)、SiGe、功率器件、高壓器件、異質(zhì)結(jié)、光電器件、量子器件及納米器件也同樣都可以進(jìn)行精確有效的仿真模擬。
此模組采用現(xiàn)有的最先進(jìn)的商用模型, 無需流片就可以對(duì)器件設(shè)計(jì)進(jìn)行模擬和優(yōu)化以達(dá)到最好的性能. 這就避免的成本高昂的實(shí)驗(yàn)和多次FAB流片損失。
◆ 無需制造出實(shí)際的器件就可以通過仿真來預(yù)測半導(dǎo)體器件的電氣特性；
◆ 基于先進(jìn)的C++軟件架構(gòu)和成熟高效的數(shù)值解析算法,具有極強(qiáng)的擴(kuò)展能力；
◆ 可以得到任意工作條件下端口的靜態(tài)和瞬態(tài)的電壓和電流；
◆ 通過電位、電場、載流子、電流密度、電子復(fù)合與生成的分布率等方面深入了解器件的內(nèi)在物理機(jī)制；
◆ 業(yè)界先進(jìn)的載流子隧穿模型, 包括非局域隧穿、熱電子發(fā)射、直接隧穿、準(zhǔn)確地模擬量子器件、異質(zhì)結(jié)器件和光學(xué)器件；
◆ 無需制造出實(shí)際的器件就可以對(duì)器件進(jìn)行優(yōu)化并找出理想的結(jié)構(gòu)參數(shù)；
◆ 研究擊穿和失效的機(jī)理，如漏電流路徑和熱載流子效應(yīng)；
◆ 為生成小型模型而準(zhǔn)備數(shù)據(jù)，以便在流片前對(duì)電路設(shè)計(jì)進(jìn)行分析；
◆ 采用PEMI(physical Model and Equation Interface)進(jìn)行仿真，在仿真時(shí)引入用戶定義的物理模型和方程。
Sentaurus Process模塊
Synopsys Inc.的Sentaurus Process 整合了：
⑴Avanti 公司的TSUPREM系列工藝級(jí)仿真工具（Tsupremⅰ、Tsupremⅱ、Tsupremⅲ只能進(jìn)行一維仿真，到了第四代的商業(yè)版Tsuprem4能夠完成二維仿真模擬）；
⑵Avanti公司的Taurus Process 系列工藝級(jí)仿真工具；
⑶ISE Integrated Systems Engineering公司的ISE TCAD工藝級(jí)仿真工具Dios（二維工藝仿真）FLOOPS-ISE（三維工藝仿真）Ligament（工藝流程編輯）系列工具，將一維、二維和三維仿真集成于同一平臺(tái)。
在保留傳統(tǒng)工藝級(jí)仿真工具卡與命令行運(yùn)行模式的基礎(chǔ)上，又作了諸多重大改進(jìn)：
⑴增加、設(shè)置了模型參數(shù)數(shù)據(jù)庫瀏覽器（PDB），為用戶提供修改模型參數(shù)及增加模型的方便途徑；
⑵增加、設(shè)置了一維模擬結(jié)果輸出工具（Inspect）和二維、三維模擬結(jié)果輸出工具（Tecplot SV）。Inspect 提供了一維模擬結(jié)果的交互調(diào)閱。而Tecplot SV 則實(shí)現(xiàn)了仿真曲線、曲面及三維等輸出結(jié)果的可視化輸出。（實(shí)際為ISE TCAD的可視化工具Inspect和tecplot的繼承）
此外，Sentaurus Process 還收入了諸多近代小尺寸模型。這些當(dāng)代的小尺寸模型主要有：
⑴高精度刻蝕模型及高精度淀積模型；
⑵基于Crystal-TRIM 的蒙特卡羅（Monte Carlo）注入模型、離子注入校準(zhǔn)模型、注入解析模型和注入損傷模型；
⑶高精度小尺寸擴(kuò)散遷移模型等。
引入這些小尺寸模型，增強(qiáng)了仿真工具對(duì)新材料、新結(jié)構(gòu)及小尺寸效應(yīng)的仿真能力，適應(yīng)未來半導(dǎo)體工藝技術(shù)發(fā)展的需求。
Sentaurus Process是業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的工藝仿真工具，可以對(duì)IC生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化以縮短產(chǎn)品開發(fā)周期和產(chǎn)品定型。此模塊是一個(gè)全面的高度靈活的一、 二、三維工藝模擬工具，擁有快速準(zhǔn)確的刻蝕與參雜模擬模型，由基于Crystal-TRIM的蒙特卡羅(Monte Carlo)離子注入模型和先進(jìn)的離子注入校準(zhǔn)表，離子注入分析和缺陷模型以及先進(jìn)的擴(kuò)散模型。
Synopsys公司還研發(fā)了一個(gè)基于Levelset方法的網(wǎng)格模塊工具，此模塊具有高品質(zhì)的各向異性格柵(anisotropic grids)和高速解決方案。所有這些使模擬結(jié)果更加準(zhǔn)確和可靠。經(jīng)過大量最新試驗(yàn)的校準(zhǔn)，運(yùn)用Synopsys公司的精確校準(zhǔn)手段，Process在Si/SiGe器件領(lǐng)域具有非常強(qiáng)大的預(yù)測能力。另外，Synopsys公司還提供了經(jīng)過檢驗(yàn)的校準(zhǔn)參數(shù)庫。
◆設(shè)計(jì)先進(jìn)的Si/SiGe、BiCMOS和SOI技術(shù)的器件及其制造工藝；
◆通過準(zhǔn)確仿真離子注入、擴(kuò)散、氧化、硅化物生長、外延生長、蝕刻、淀積和光刻膠工藝等步驟來預(yù)測一、二、三維產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特性；
◆評(píng)估并改進(jìn)傳統(tǒng)和新型隔離技術(shù)如LOCOS、SWAMI、深溝道隔離和淺溝道隔離（STI）；
◆研究離子注入工藝，包括晶圓片傾斜和旋轉(zhuǎn)、屏蔽、注入損傷、無定型結(jié)晶、PAI、氧化物篩選、離子溝道等各種效應(yīng)；
◆研究雜質(zhì)擴(kuò)散，包括氧化增強(qiáng)擴(kuò)散（OED）、瞬態(tài)增強(qiáng)擴(kuò)散（TED）、空隙聚積、摻雜激活和摻雜劑量損失；
◆研究所有的層在高溫環(huán)境下熱氧化，硅化物生長、熱匹配失調(diào)、蝕刻、淀積和應(yīng)力釋放等因素作用下所受力的歷史紀(jì)錄；
◆測定基本的電氣特性，包括面電阻、閾值電壓、C-V特性曲線（包括量子力學(xué)校正）；
◆進(jìn)行二維、三維器件分析并建立工藝結(jié)構(gòu)。
Device Editor模塊
此模塊具有三個(gè)操作模式：二維器件編輯、三維器件編輯、三維工藝流程模擬。幾何操作和工藝模擬可以自由組合，增加了生成三維器件的靈活性。幾何操作通過幾何內(nèi)核來進(jìn)行，Device Editor提供了先進(jìn)的可視化工具，用戶可以清楚地看到創(chuàng)建器件的每個(gè)步驟，功能強(qiáng)大的透視功能使得用戶可以選擇觀看特定區(qū)域或者透明化某些區(qū)域。
Workbench模塊
此模塊集成了Synopsys的TCAD各模塊工具的圖形前端集成環(huán)境，用戶可以通過圖形界面來進(jìn)行半導(dǎo)體研究及其制備工藝模擬和器件仿真的設(shè)計(jì)，組織和運(yùn)行。使用戶可以很容易建立IC工藝流程以便TCAD進(jìn)行模擬，還可以繪制器件的各端口電學(xué)性能等重要參數(shù)．
◆優(yōu)化IC制造工藝，是真正的Virtual Wafer Fab系統(tǒng)；
◆縮短產(chǎn)品開發(fā)周期；
◆令設(shè)計(jì)更符合制造的要求以最大提高產(chǎn)量；
◆可以評(píng)估和折中設(shè)計(jì)的各種方案。